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某些接触器包装盒里面会附带一张详细的纸质说

作者:to88通盈官方网站 发布时间:2021-02-03 19:33 点击数:

  器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正(PFC)续流、升降压续流和LLC转换器输出整流,为设计人员实现系统优化提供高灵活性。...

  纳微半导体今日正式宣布,其出货量创下最新纪录,已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓(GaN)功率IC实现产品零故障。...

  Vishay Vitramon VJ.。..32含铅涂层系列端接涂层最小含铅(Pb)量为4 %。此前,含铅(Pb)端接涂层专门用于昂贵的高可靠性器件。...

  氮化镓作为替代硅用于芯片制造的新兴材料,目前已经在快充市场呈现规模化应用。...

  科锐推出新型SiC功率模块产品系列,为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率。...

  650V SiC MOSFET的拥护者可能会指出,他们发现其他类似器件在Tj =125°C下的该数值通常为+20-25%。这能说明SiC MOSFET比其他器件好三倍吗?...

  全系碳化硅分立器件、模块产品分别依据AEC-Q101、AQG-324标准进行可靠性测试,产品从设计到验证遵循汽车行业标准,打造车规级质量水平。...

  受上游晶圆供应紧缺情况的持续影响,近日,国内外多家金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)厂商发布涨价通知,目前已累计四家MOS管厂商已经启动涨价,涨幅达到20%。 1、Diodes交期延长至...

  电路的RF输入信号必须通过表面声波(SAW)滤波器,以将驱动放大器的输入限制为902 MHz至928 MHz频段。...

  Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。...

  双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性,简化汽车电磁阀控制电路。...

  TDK旨在通过增加贴片尺寸和热敏电阻特性,以及扩大工作温度范围来满足不同的应用需求,从而不断扩大NTCSP系列产品的阵容。...

  Yole Development 的市场调查报告表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。...

  目前常用的解决方案包括使用硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(SJMOSFET)来调节、转换并向电池充电。它的尺寸大约为18英寸×25英寸,重量大概13磅,能效约为94%。...

  本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。...

  最终的器件是额定电压为650 V的FET,具有4 V的高阈值,小于15mΩ的导通电阻以及类似于单芯片的封装。...

  EPC9153是一款250 W超薄电源模块,采用简单且低成本的同步降压配置,峰值效率高达98.2%,元件的最大厚度为6.5 毫米。...

  Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供ASFET系列。...

  特点和优势 1、国内第一颗采用SGT技术的P-100V的MOSFET产品; 2、P Channel产品在负载开关应用中,电路更简洁,高效;...

  该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。...

  最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用。直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现把它纯当作一...

  器件符合AEC-Q200标准,适用于汽车和工业应用,精度达到± 0.5 °C,空气中响应时间小于3秒...

  三安集成副总经理杨健、金龙新能源总经理陈晓冰博士分别代表双方签订战略合作框架协议。...

  GaN晶体管支持大多数包含单独功率因数校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC电源:前端、无电桥PFC以及其后的LLC谐振转换器(两个电感和一个电容)。此拓扑完全依赖于图1所示的半桥和全桥电路。...

  使用说明书。七八年前左右,某些接触器包装盒里面会附带一张详细的纸质说明书,有型号,功能,使用注意事项等。后来渐渐的,说明书不见了,改为印刷在包装盒的里面。有机会可以搜集下...

  尽管基于硅的MEMS谐振器实现了高的时间分辨率,并且具有较小的相位噪声和更理想的集成能力,但是它在较高温度下不稳定。...

  人们普遍认为,SiCMOSFET可以实现非常快的开关速度,有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而,由于传统功率半导体封装的限制,在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的...


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